Транзистор N-MOSFET Infineon IRF520NPBF, 100 В, 9,7 А, TO220AB — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF520NPBF — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 100 В и ток стока до 9,7 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 9,7 А
• Рассеиваемая мощность: 48 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Технология изготовления: HEXFET®
• Комплектация: набор из 20 шт.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO220AB с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 48 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,2 Ом.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение затвор-исток ±20 В и заряд затвора 16,7 нКл. Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения. Полярность — униполярная. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимальный ток стока — 9,7 А. Рассеиваемая мощность — 48 Вт, сопротивление в открытом состоянии — 0,2 Ом. Корпус — TO220AB, монтаж — THT, технология — HEXFET®. Комплектация: набор из 20 шт.