Транзистор N-MOSFET Vishay IRF510SPBF, 100В, 4А, корпус D2PAK — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF510SPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 100 В и постоянный ток 4 А, что делает ее пригодной для коммутационных задач средней мощности.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 4 А (постоянный), 20 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 43 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
• Набор: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 100 В и постоянным током стока 4 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 20 А, что позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками.

Управление и сопротивление канала

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 43 Вт. Это значение определяет тепловой режим работы компонента и необходимость обеспечения соответствующего отвода тепла при длительных нагрузках.

Корпус и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе D2PAK (TO263) с технологией монтажа SMD. Такое исполнение обеспечивает компактное размещение на печатной плате и удобство автоматизированного монтажа.

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.