Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, 75 В, 75 А, D2PAK, комплект 10 шт.
3 270 ₴
- В наличии
- Код: TM035839
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF, 75 В, 75 А, D2PAK, комплект 10 шт.В наличии
3 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3808STRLPBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 75 В
- Ток стока: 75 А (постоянный), 550 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 75 В и постоянный ток стока 75 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 550 А, а рассеиваемая мощность составляет 200 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 7 мОм.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии HEXFET®. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 75 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 270 ₴