Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF, 100 В, 59 А, TO220AB, набор 10 шт.
1 940 ₴
- В наличии
- Код: TM074410
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF, 100 В, 59 А, TO220AB, набор 10 шт.В наличии
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRF3710ZPBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение сток-исток 100 В, ток стока 59 А, рассеиваемая мощность 160 Вт.
- Напряжение сток-исток 100 В
- Ток стока 59 А
- Рассеиваемая мощность 160 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности 18 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набор из 10 транзисторов
Тип и канал транзистора
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Ток стока может достигать 59 А. Сопротивление в состоянии проводности равно 18 мОм.
Мощность и заряд затвора
Рассеиваемая мощность транзистора — 160 Вт. Заряд затвора составляет 82 нКл. Используется технология HEXFET®.
Монтаж и корпус
В комплекте 10 транзисторов. Монтаж выполняется методом THT. Корпус TO220AB.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 160 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 59 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 940 ₴