Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF, 100В, 57А, TO220AB, комплект 20 шт.
3 250 ₴
- В наличии
- Код: TM035838
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF, 100В, 57А, TO220AB, комплект 20 шт.В наличии
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3710PBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе TO220AB для монтажа THT.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 57 А
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 23 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Комплектация: 20 шт.
Напряжение и ток
Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а ток стока — 57 А. Рассеиваемая мощность равна 200 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет 23 мОм.
Технология и корпус
Компонент изготовлен по технологии HEXFET®. Общий заряд затвора составляет 86,7 нКл. Корпус TO220AB предназначен для монтажа THT.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 57 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 23 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 250 ₴