Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3415PBF, 150 В, 43 А, TO220AB, набор 10 шт.
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM074409
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3415PBF, 150 В, 43 А, TO220AB, набор 10 шт.В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IRF3415PBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение 150 В, ток 43 А, мощность 200 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 43 А
- Мощность: 200 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток составляет 150 В, а максимальный ток стока — 43 А. Рассеиваемая мощность равна 200 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, сопротивление в состоянии проводимости — 42 мОм, а заряд затвора — 133,3 нКл.
Канал и полярность
Транзистор является униполярным с каналом обогащенного типа. Используется технология HEXFET®. Компонент выполнен в корпусе TO220AB с монтажом THT.
Комплектация
В упаковке поставляется 10 транзисторов IRF3415PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 43 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 42 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴