Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, 55 В, 78 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 350 ₴
- В наличии
- Код: TM035837
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205ZSTRLPBF, 55 В, 78 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRF3205ZSTRLPBF. Это униполярные компоненты с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 55 В и ток 78 А.
- Ток стока 78 А и импульсный ток 440 А
- Напряжение сток-исток 55 В
- Рассеиваемая мощность 170 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 6,5 мОм
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Набор из 10 транзисторов
Технические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 55 В и постоянным током стока 78 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 440 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 170 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости равно 6,5 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе D2PAK с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Напряжение на затворе-истоке составляет ±20 В, а заряд затвора — 110 нКл.
Электрические характеристики затвора и канала
В упаковке содержится 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 170 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 78 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 350 ₴