
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF, 55 В, 80 А, TO220AB, 20 шт.
3 500 ₴
- В наличии
- Код: TM019091
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205PBF — это мощный полевой транзистор в корпусе TO220AB, предназначенный для коммутации высоких токов. Комплект из 20 штук обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонтных работ.
- Ток стока: 80 А
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Рассеиваемая мощность: 200 Вт
- Сопротивление открытого канала: 8 мОм
- Корпус: TO220AB (THT)
- Количество в комплекте: 20 шт.
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока до 80 А и рассеиваемую мощность 200 Вт. Это позволяет использовать его в силовых цепях, где требуется надежная коммутация мощных нагрузок без перегрева.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление канала в открытом состоянии составляет всего 8 мОм. Такое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.
Удобный монтаж и надежность
Компонент выполнен в корпусе TO220AB для монтажа на плату (THT). Технология HEXFET® обеспечивает стабильные характеристики и устойчивость к перегрузкам, что важно для промышленного применения.
Заряд затвора и управление
Заряд затвора составляет 146 нКл, что определяет требования к драйверу затвора и скорость переключения. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В обеспечивает запас прочности изоляции при управлении сигналом. Канал типа «обогащение» (enhancement mode) гарантирует, что транзистор закрыт при нулевом напряжении на затворе, что упрощает схемы защиты от случайного включения.
Комплектация
В упаковке содержится 20 транзисторов IRF3205PBF. Такой набор удобен для радиолюбителей и инженеров, которым требуется несколько одинаковых компонентов для реализации схемы.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 3 500 ₴
