Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF, 75 В, 82 А, TO220AB (набор 20 шт.)
2 850 ₴
- В наличии
- Код: TM019089
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF, 75 В, 82 А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
2 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2807PBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения с параметрами 75 В, 82 А и 200 Вт. Комплект из 20 штук обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.
- Ток стока до 82 А
- Рассеиваемая мощность 200 Вт
- Сопротивление открытого канала 13 мОм
- Технология HEXFET®
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Комплект из 20 штук
Высокая токовая нагрузка
Транзистор имеет постоянный ток стока до 82 А и максимальную рассеиваемую мощность 200 Вт.
Эффективное управление и низкие потери
Применена технология HEXFET®, сопротивление открытого канала составляет 13 мОм, а заряд затвора — 106,7 нКл.
Удобный монтаж и надежность
Корпус TO220AB с монтажом THT. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов IRF2807PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 200 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 82 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 850 ₴