Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2805PBF, 55В, 175А, TO220AB, набор 10 шт.
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM074407
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF2805PBF, 55В, 175А, TO220AB, набор 10 шт.В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 мощных полевых транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies. Модель IRF2805PBF в корпусе TO220AB.
- Набор из 10 транзисторов
- Ток стока 175 А
- Рассеиваемая мощность 330 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости 4,7 мОм
- Корпус TO220AB для вывода на печатную плату
- Технология HEXFET®
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на максимальный ток стока 175 А и рассеивание мощности до 330 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление канала в состоянии проводимости составляет 4,7 мОм.
Удобный монтаж и корпус
Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB с технологией вывода на печатную плату (THT).
Технология HEXFET®
Технология HEXFET®. Заряд затвора составляет 150 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 330 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 175 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.7 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴