Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZSTRLPBF, 40 В, 190 А, D2PAK, набор 10 шт.
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM074406
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404ZSTRLPBF, 40 В, 190 А, D2PAK, набор 10 шт.В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IRF1404ZSTRLPBF. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе D2PAK. Ключевые параметры: напряжение 40 В, ток 190 А, мощность 220 Вт.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
- Ток стока: 190 А
- Рассеиваемая мощность: 220 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным полевым транзистором (N-MOSFET) с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 40 В, а постоянный ток стока — 190 А. Рассеиваемая мощность составляет 220 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с поверхностным монтажом (SMD). Технология изготовления: HEXFET®.
Комплектация
Внимание: товар поставляется как набор из 10 одинаковых транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 220 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 190 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴