
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135S203, 135В, 91А, D2PAK — набор 10 шт.
3 390 ₴
- В наличии
- Код: TM019085
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135S203 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для монтажа SMD. Комплект состоит из 10 единиц, что удобно для серийного производства или ремонта электронных блоков.
- Ток стока 91 А
- Импульсный ток 512 А
- Мощность рассеивания 441 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности 8,4 мОм
- Корпус D2PAK для монтажа SMD
- Комплект: 10 шт.
Высокая токовая нагрузка
Прибор рассчитан на постоянный ток стока 91 А и импульсный ток до 512 А. Такая характеристика позволяет использовать транзистор в силовых ключах, где требуется переключение больших токов.
Эффективное рассеивание тепла
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 441 Вт. Это обеспечивает стабильную работу устройства под нагрузкой при высоких рабочих температурах.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводности равно 8,4 мОм. Низкое значение сопротивления снижает потери энергии и нагрев компонента, что повышает общий КПД электронной схемы.
Удобный монтаж и технология
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® и имеет корпус D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Это упрощает автоматизацию процесса пайки и экономит место на печатной плате.## Низкий заряд затвораЗаряд затвора составляет 0,27 мкКл. Низкое значение заряда снижает нагрузку на драйвер затвора и позволяет уменьшить потери на управление при переключении.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 441 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 135 В |
| Максимально допустимый ток стока | 91 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.4 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 3 390 ₴
