
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135B203, 135 В, 91 А, корпус TO220AB, комплект 10 шт.
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM035835
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF135B203 — это мощный полупроводниковый прибор для силовых электронных схем. Модель отличается высоким током стока 91 А и напряжением 135 В, что делает её пригодной для силовых электронных схем. В комплект входит 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта.
- Ток стока 91 А и импульсный ток 512 А
- Напряжение сток-исток 135 В
- Рассеиваемая мощность 441 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 8,4 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Комплект из 10 транзисторов
Высокая мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 91 А и импульсный ток до 512 А. Это позволяет использовать компонент в цепях с высокими нагрузками при условии надлежащего охлаждения. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 441 Вт, что позволяет работать с высокими нагрузками.
Низкое сопротивление и эффективность
Сопротивление в открытом состоянии равно 8,4 мОм, что снижает потери энергии и нагрев компонента. Такая характеристика важна для повышения КПД силовых преобразователей. Заряд затвора составляет 0,27 мкКл, что влияет на скорость переключения транзистора.
Монтаж и управление
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией установки THT (через отверстия). Это позволяет устанавливать компонент в отверстия печатной платы. Максимальное напряжение затвор-исток ±20 В определяет безопасные пределы управления затвором.
Транзистор Infineon IRF135B203 используется как силовой ключ в электронных устройствах. Благодаря технологии HEXFET® компонент сочетает высокие токовые характеристики с компактным корпусом TO220AB. Комплект из 10 штук удобен для сборки или ремонта силовых узлов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 441 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 135 В |
| Максимально допустимый ток стока | 91 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
- Цена: 2 560 ₴
