Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1310NPBF, 100 В, 42 А, TO220AB (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1310NPBF — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутационных и силовых применений. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе TO220AB, что обеспечивает удобство для массового монтажа и серийного производства.

• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 42 А
• Рассеиваемая мощность: 160 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 36 мОм
• Корпус: TO220AB (выводной монтаж)
• Комплектация: 20 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока до 42 А и напряжение сток-исток 100 В. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 160 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных силовых схемах без чрезмерного нагрева.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 36 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства.

Удобный монтаж и технология

Компонент изготовлен по технологии HEXFET® и предназначен для выводного монтажа (THT). Корпус TO220AB является стандартом для силовых транзисторов, что упрощает крепление к радиатору и интеграцию в печатные платы.

Управление затвором

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 73,3 нКл. Эти параметры определяют скорость переключения и требования к драйверу затвора в вашей схеме.

Тип канала и полярность Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Это означает, что устройство закрыто при нулевом напряжении на затворе и открывается только при подаче положительного напряжения, что обеспечивает безопасное состояние по умолчанию в силовых схемах. Транзисторы IRF1310NPBF подходят для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные силовые ключи для блоков питания, инверторов или двигателей. Комплект из 20 штук оптимизирует затраты на закупку для серийных проектов.