
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF, 60 В, 79 А, TO220AB — набор 20 шт.
3 310 ₴
- В наличии
- Код: TM035834
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 60 В и ток до 79 А.
- Ток стока до 79 А
- Напряжение сток-исток 60 В
- Рассеиваемая мощность 110 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 8,4 мОм
- Корпус TO220AB, монтаж THT
- Набор из 20 шт.
Мощность и ток
Транзистор выдерживает постоянный ток стока до 79 А и рассеивает мощность до 110 Вт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Низкое сопротивление в открытом состоянии (8,4 мОм) снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT).
Комплектация
Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Заряд затвора составляет 46 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 79 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 310 ₴
