Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF, 60 В, 79 А, TO220AB — набор 20 шт.

3 310 ₴

  • В наличии
  • Код: TM035834
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF, 60 В, 79 А, TO220AB — набор 20 шт.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF, 60 В, 79 А, TO220AB — набор 20 шт.В наличии
3 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1018EPBF — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 60 В и ток до 79 А.

  • Ток стока до 79 А
  • Напряжение сток-исток 60 В
  • Рассеиваемая мощность 110 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии 8,4 мОм
  • Корпус TO220AB, монтаж THT
  • Набор из 20 шт.

Мощность и ток

Транзистор выдерживает постоянный ток стока до 79 А и рассеивает мощность до 110 Вт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 60 В, а напряжение на затворе — ±20 В. Низкое сопротивление в открытом состоянии (8,4 мОм) снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется методом вывода в отверстия (THT).

Комплектация

Товар поставляется набором из 20 транзисторов. Заряд затвора составляет 46 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу затвора.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания110 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока79 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)8.4 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 3 310 ₴