Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF, 55 В, 60 А, D2PAK, 10 шт.
2 050 ₴
- В наличии
- Код: TM074404
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF, 55 В, 60 А, D2PAK, 10 шт.В наличии
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1010NSTRLPBF — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 55 В
- Ток стока: 60 А
- Рассеиваемая мощность: 180 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 11 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические характеристики
Транзистор имеет напряжение сток-исток 55 В и максимальный ток стока 60 А. Рассеиваемая мощность составляет 180 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 11 мОм. Заряд затвора равен 0,12 мкКл.
Корпус и технология
Прибор выполнен в корпусе D2PAK с технологией HEXFET®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация и идентификация
В упаковке поставляется 10 транзисторов IRF1010NSTRLPBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 180 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 55 В |
| Максимально допустимый ток стока | 60 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 050 ₴