Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202, 100 В, 68 А, 221 Вт, TO220AB — набор 10 шт.
1 870 ₴
- В наличии
- Код: TM074403
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202, 100 В, 68 А, 221 Вт, TO220AB — набор 10 шт.В наличии
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B202 — силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220AB для монтажа на плату. Комплект состоит из 10 единиц.
- Максимальная мощность рассеивания 221 Вт
- Ток стока до 68 А
- Напряжение сток-исток 100 В
- Корпус TO220AB для монтажа на плату (THT)
- Технология HEXFET®
- Комплект: 10 шт.
Мощность и ток
Максимальная мощность рассеивания составляет 221 Вт. Максимально допустимый ток стока — 68 А.
Напряжение и технология
Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 100 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в стандартном корпусе TO220AB с выводами для монтажа на плату (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 221 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 68 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 1 870 ₴