Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B201, 100В, 136А, TO220AB — набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF100B201 — это мощный полупроводниковый прибор для силовых электронных схем. Модель рассчитана на высокий ток до 136 А и напряжение 100 В. В комплекте поставляется 10 шт.

• Ток стока 136 А
• Импульсный ток 690 А
• Напряжение сток-исток 100 В
• Сопротивление в открытом состоянии 4,2 мОм
• Рассеиваемая мощность 441 Вт
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Комплект: 10 шт.

Высокая мощность и ток

Транзистор выдерживает постоянный ток стока 136 А и импульсный ток до 690 А. Это позволяет использовать компонент в схемах со значительными нагрузками. Рассеиваемая мощность составляет 441 Вт, что требует качественного охлаждения.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводности равно 4,2 мОм. Такое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Это повышает общий КПД устройства.

Удобный монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO220AB с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Это упрощает пайку на печатные платы и обеспечивает надежный механический контакт.

Технические характеристики управления

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 255 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Эти параметры важны для правильного выбора драйвера затвора. Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®, что обеспечивает стабильную работу при высоких нагрузках.