Транзистор N-MOSFET Infineon IPW65R110CFDFKSA2, 700В, 31,2А, TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW65R110CFDFKSA2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 3 элементов в корпусе TO247-3 с выводами для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 700 В
• Ток стока: 31,2 А
• Рассеиваемая мощность: 277,8 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,11 Ом
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Комплектация: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 700 В и ток стока 31,2 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,11 Ом. Общая рассеиваемая мощность для одного элемента — 277,8 Вт.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в стандартном корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется через отверстия (THT), что позволяет фиксировать компонент непосредственно на печатной плате. Заряд затвора составляет 118 нКл.