Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO247-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190P6FKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 20,2 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе PG-TO247-3 с технологией CoolMOS™ P6.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 20,2 А
• Рассеиваемая мощность: 151 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,19 Ом
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ P6
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Прибор имеет напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 20,2 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,19 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 151 Вт.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе PG-TO247-3, предназначенном для монтажа в отверстия (THT). Монтаж выполняется в отверстия (THT).

Напряжение затвора и комплектация

Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Используется технология CoolMOS™ P6 от производителя Infineon Technologies. Товар продается набором из 5 транзисторов.