Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1, 600V, 20.2A, 151W, PG-TO247-3 (5 шт.)
1 880 ₴
- В наличии
- Код: TM074389
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1, 600V, 20.2A, 151W, PG-TO247-3 (5 шт.)В наличии
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R190C6FKSA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 20,2 А.## Комплектация и количество
- Напряжение сток-исток 600 В
- Ток стока 20,2 А
- Рассеиваемая мощность 151 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 0,19 Ом
- Корпус PG-TO247-3 (THT)
- Комплект из 5 транзисторов
Технические параметры
Прибор работает с напряжением сток-исток до 600 В и выдерживает ток стока 20,2 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,19 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 151 Вт.
Технология и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™ C6. Корпус PG-TO247-3 предназначен для выводного монтажа (THT) на печатные платы. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Тип и канал транзистора
Прибор является униполярным N-MOSFET транзистором с каналом обогащения.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 151 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технология | CoolMOS™ C6 |
Информация для заказа
- Цена: 1 880 ₴