Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, 600 В, 30 А, 5 шт.
2 270 ₴
- В наличии
- Код: TM074388
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1, 600 В, 30 А, 5 шт.В наличии
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R125P6XKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO247-3. Комплект состоит из 5 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 30 А
- Рассеиваемая мощность: 219 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,125 Ом
- Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ P6
- Количество в комплекте: 5 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 30 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,125 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность равна 219 Вт.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P6. Монтаж выполняется методом THT (выводной монтаж), что требует установки в отверстия печатной платы. Корпус PG-TO247-3.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 219 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO247-3 |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 270 ₴