Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R099CPFKSA1, 600В, 31А, 255Вт, PG-TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPW60R099CPFKSA1. Это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 31 А. В комплект поставки входят 3 штуки в корпусе PG-TO247-3.

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 31 А
• Мощность рассеивания: 255 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 99 мОм
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ CP
• Количество в комплекте: 3 шт.

Технические характеристики

Прибор работает с напряжением сток-исток до 600 В и выдерживает ток стока 31 А. Мощность рассеивания составляет 255 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 99 мОм, что снижает потери энергии во время работы.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе PG-TO247-3, который обеспечивает эффективный отвод тепла. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж), что подходит для классических печатных плат. Технология изготовления — CoolMOS™ CP, оптимизирующая параметры переключения.

Комплектация

В наборе находятся 3 транзистора.