Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7, 600 В, 40 А, корпус PG-TO247-3 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R031CFD7 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 40 А при напряжении 600 В. Комплект состоит из 3 единиц в корпусе PG-TO247-3 с технологией OptiMOS™.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 40 А
• Рассеиваемая мощность: 278 Вт
• Корпус: PG-TO247-3, монтаж THT
• Технология: OptiMOS™
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 600 В и выдерживает постоянный ток стока 40 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 60 мОм, что обеспечивает эффективную коммутацию. Максимальная рассеиваемая мощность равна 278 Вт, а заряд затвора — 141 нКл.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе PG-TO247-3. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT).

Комплектация

В комплекте поставляются 3 транзистора Infineon IPW60R031CFD7. Символ производителя: IPW60R031CFD7. Поляризация транзистора — униполярная. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.