Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R900P7AKMA1, 800 В, 3,9 А, IPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R900P7AKMA1 — это полупроводниковый прибор с каналом типа N, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 3,9 А. Прибор выполнен в корпусе IPAK для монтажа в отверстия (THT) и реализует технологию CoolMOS™ P7.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,9 А
• Максимальная мощность рассеивания: 45 Вт
• Корпус IPAK для монтажа в отверстия (THT)
• Технология CoolMOS™ P7
• Заряд затвора: 15 нКл
• Набор из 20 транзисторов

Мощность и ток

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 45 Вт. Прибор обеспечивает рабочий ток стока до 3,9 А при напряжении сток-исток до 800 В. Заряд затвора (gate charge) равен 15 нКл.

Корпус IPAK

Транзистор изготовлен в корпусе IPAK, который предусматривает монтаж в отверстия (THT). Монтаж выполняется в отверстия печатных плат.

Версия ESD и комплектация

В набор поставляется 20 транзисторов. Версия ESD.