Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, 800 В, 1 А, IPAK, набор 20 шт.
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM074380
Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R4K5P7AKMA1, 800 В, 1 А, IPAK, набор 20 шт.В наличии
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPU80R4K5P7AKMA1. Это униполярные компоненты с напряжением сток-исток 800 В и током 1 А, изготовленные по технологии CoolMOS™ P7 в корпусе IPAK.
- Напряжение сток-исток 800 В
- Ток стока 1 А, импульсный 2,6 А
- Корпус IPAK, монтаж THT
- Технология CoolMOS™ P7
- Набор из 20 транзисторов
- Версия ESD
Технические характеристики
Транзистор имеет напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 1 А. Импульсный ток стока составляет 2,6 А, а рассеиваемая мощность — 13 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,5 Ом, что влияет на тепловые потери при работе.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе IPAK с выводами для монтажа в отверстия (THT). Компонент имеет версию ESD. Используется технология CoolMOS™ P7.
Комплектация
В комплекте поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 13 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 1 910 ₴