Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1, 800В, 2,7А, IPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K4P7AKMA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на рабочее напряжение 800 В и ток стока 2,7 А. Товар поставляется набором из 20 штук в корпусе IPAK для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 2,7 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,4 Ом
• Корпус: IPAK, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ P7
• Комплектация: набор из 20 штук

Технология CoolMOS™ P7 и сопротивление

Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Сопротивление в открытом состоянии составляет 1,4 Ом.

Электрические параметры и мощность

Максимальное напряжение сток-исток составляет 800 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Ток стока равен 2,7 А, а общий заряд затвора — 10 нКл. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 32 Вт.

Монтаж и версия ESD

Транзистор имеет корпус IPAK и предназначен для выводного монтажа (THT). Компонент имеет маркировку ESD.