Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K2P7AKMA1, 800В, 3,1А, IPAK (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K2P7AKMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 3,1 А.## Технология и тип

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 800 В
• Ток стока: 3,1 А
• Рассеиваемая мощность: 37 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 1,2 Ом
• Корпус: IPAK, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™ P7
• Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и постоянный ток стока 3,1 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 1,2 Ом, а максимальная рассеиваемая мощность — 37 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе IPAK для монтажа через отверстия (THT). Версия: ESD.

Технология и тип

Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7. Это N-MOSFET униполярного типа с каналом обогащения. Заряд затвора составляет 11 нКл.