Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, 80В, 279А, OptiMOS™ 5, комплект 5 шт.
2 280 ₴
- В наличии
- Код: TM074378
Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1, 80В, 279А, OptiMOS™ 5, комплект 5 шт.В наличии
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPT012N08N5ATMA1 — это силовой полупроводниковый прибор технологии OptiMOS™ 5 в корпусе PG-HSOF-8. Предназначен для коммутации тока до 279 А при напряжении 80 В.
- Ток стока 279 А, импульсный ток 1200 А
- Напряжение сток-исток 80 В
- Сопротивление в открытом состоянии 1,2 мОм
- Технология OptiMOS™ 5
- Корпус PG-HSOF-8, монтаж SMD
- Комплект: 5 шт.
Мощность и ток
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 279 А и импульсный ток до 1200 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 375 Вт.
Электрические параметры
Номинальное напряжение сток-исток равно 80 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 1,2 мОм. Общий заряд затвора — 178 нКл.
Монтаж и комплектация
Прибор выполнен в корпусе PG-HSOF-8 для поверхностного монтажа (SMD). В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 279 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.2 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-HSOF-8 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 280 ₴