Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
2 370 ₴
- В наличии
- Код: TM074377
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов N-MOSFET Infineon IPP60R190P6XKSA1 в корпусе PG-TO220-3. Рассчитаны на напряжение до 600 В и ток до 20,2 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20,2 А
- Рассеиваемая мощность: 151 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,19 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ P6
- Количество в наборе: 10 шт.
Технические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а постоянный ток стока — 20,2 А. Рассеиваемая мощность достигает 151 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,19 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж осуществляется выводами в отверстия печатной платы (THT). Напряжение на затворе ограничено ±20 В.
Технология и комплектация
Использована технология CoolMOS™ P6 от производителя Infineon Technologies. В комплекте поставляется 10 одинаковых транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 151 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 370 ₴