Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R165CPXKSA1, 600В, 21А, CoolMOS CP, 5 шт.
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM074376
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R165CPXKSA1, 600В, 21А, CoolMOS CP, 5 шт.В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор работает как N-MOSFET с униполярным каналом обогащения.## Комплектация
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 21 А
- Рассеиваемая мощность: 192 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,165 Ом
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ CP
- Комплектация: 5 шт.
Технические параметры
Прибор имеет сопротивление в открытом состоянии 0,165 Ом и рассеивает мощность до 192 Вт. Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.
Монтаж и корпус
Компоненты предназначены для выводного монтажа (THT) в корпусе PG-TO220-3.
Технология CoolMOS™ CP
Использование технологии CoolMOS™ CP от Infineon Technologies определяет специфические характеристики коммутационных свойств транзистора.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 192 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 21 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 165 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ CP |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴