Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.
2 090 ₴
- В наличии
- Код: TM035821
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125P6XKSA1, 600В, 30А, 5 шт.В наличии
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPP60R125P6XKSA1. Это униполярные компоненты с напряжением 600 В и током 30 А, изготовленные по технологии CoolMOS™ P6 в корпусе PG-TO220-3.
- Напряжение сток-исток 600 В
- Ток стока 30 А
- Сопротивление в состоянии проводимости 0,125 Ом
- Технология CoolMOS™ P6
- Корпус PG-TO220-3, монтаж THT
- Упаковка: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 30 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 0,125 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 219 Вт.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ P6. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), корпус PG-TO220-3. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Комплектация
В комплекте поставляется 5 одинаковых транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 219 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 125 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 090 ₴