Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099P7, 600В, 20А, PG-TO220-3 (5 шт.)
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM074375
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099P7, 600В, 20А, PG-TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099P7 — это силовой полупроводниковый прибор для коммутации высокой мощности. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 с технологией CoolMOS™ P7.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал с обогащением
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 20 А
- Рассеиваемая мощность: 117 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 99 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технология: CoolMOS™ P7
- Количество в комплекте: 5 шт.
Высокое напряжение и ток
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 20 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 99 мОм, что обеспечивает эффективную работу при высоких нагрузках.
Технология CoolMOS™ P7
Использование технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 117 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что требует соблюдения параметров управления.
Монтаж и корпус
Компонент имеет корпус PG-TO220-3 и предназначен для навесного монтажа (THT). В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 117 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 99 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 120 ₴