Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1, 600 В, 31 А, CoolMOS CP (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1 — это набор из 5 мощных полупроводниковых приборов для силовых электронных схем. Модель использует технологию CoolMOS™ CP, обеспечивающую высокую эффективность переключения и низкие потери энергии. Комплект предназначен для инженеров и радиолюбителей, которым нужны надежные компоненты для промышленных или бытовых устройств.

• Набор из 5 транзисторов N-MOSFET
• Рабочее напряжение 600 В
• Ток стока 31 А
• Сопротивление в открытом состоянии 99 мОм
• Технология CoolMOS™ CP
• Корпус PG-TO220-3-1 (THT)

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на рабочее напряжение сток-исток 600 В, что позволяет использовать его в сетевых блоках питания и инверторах. Максимальный ток стока составляет 31 А, что гарантирует стабильную работу под значительной нагрузкой. Эти параметры делают компонент универсальным для задач, где требуется коммутация высокой мощности.

Эффективность технологии CoolMOS™ CP

Использование технологии CoolMOS™ CP снижает сопротивление в открытом состоянии до 99 мОм, минимизируя нагрев прибора. Такое низкое сопротивление позволяет уменьшить размеры радиаторов или использовать более компактные системы охлаждения. Это особенно важно для устройств с ограниченным пространством для монтажа.

Удобный монтаж в корпусе PG-TO220-3-1

Компонент выполнен в стандартном корпусе PG-TO220-3-1 с типом монтажа THT (выводной монтаж). Это упрощает процесс установки на печатные платы и обеспечивает надежный механический контакт. Корпус TO220 является одним из самых распространенных в силовой электронике, что облегчает поиск совместимых креплений и радиаторов.

Надежность и рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 255 Вт, что свидетельствует о его выносливости в сложных условиях эксплуатации. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что требует соблюдения правил управления для предотвращения пробоя изолятора. Униполярная структура и обогащенный канал обеспечивают предсказуемую характеристику открывания. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что требует соблюдения правил управления для предотвращения пробоя изолятора. Это гарантирует стабильную работу транзистора в схемах управления.