Транзистор N-MOSFET Infineon IPP600N25N3GXKSA1, 250В, 25А, 136Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
2 120 ₴
- В наличии
- Код: TM074374
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP600N25N3GXKSA1, 250В, 25А, 136Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)В наличии
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP600N25N3GXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе PG-TO220-3 с технологией OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
- Ток стока: 25 А
- Мощность рассеивания: 136 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 60 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 25 А. Мощность рассеивания составляет 136 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 60 мОм.
Корпус и монтаж
Прибор выполнен в корпусе PG-TO220-3, что обеспечивает удобный монтаж на печатную плату методом вывода в отверстия (THT). Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов Infineon IPP600N25N3GXKSA1.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 136 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 120 ₴