Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R250CPXKSA1, 500В, 13А, 114Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPP50R250CPXKSA1. Имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимальный ток стока 13 А. Выполнены в корпусе PG-TO220-3 для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Максимальный ток стока: 13 А
• Рассеиваемая мощность: 114 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,25 Ом
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технология: CoolMOS™
• Количество в наборе: 10 шт.

Технические параметры

Транзистор является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 500 В, а максимальный ток стока — 13 А. Сопротивление в состоянии проводимости равно 0,25 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 114 Вт.

Технология и монтаж

Изделие изготовлено по технологии CoolMOS™, характерной для силовых MOSFET-транзисторов Infineon. Корпус PG-TO220-3 предусматривает выводной монтаж (THT) на печатную плату. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что важно учитывать при проектировании управляющих цепей.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 транзисторов IPP50R250CPXKSA1.