Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1, 500В, 18,5А, CoolMOS, PG-TO220-3 (10 шт.)
2 240 ₴
- В наличии
- Код: TM074372
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1, 500В, 18,5А, CoolMOS, PG-TO220-3 (10 шт.)В наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP50R190CEXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, разработанный для работы под напряжением до 500 В. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе PG-TO220-3, с монтажом в отверстия (THT).
- Ток стока 18,5 А при напряжении 500 В
- Рассеиваемая мощность 127 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 0,19 Ом
- Корпус PG-TO220-3 для выводного монтажа (THT)
- Технология CoolMOS™ от Infineon
- Комплект из 10 транзисторов
Электрические параметры и мощность
Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 18,5 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 127 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,19 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Технология и конструкция
Использование технологии CoolMOS™ является технологией производителя. Корпус PG-TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). Тип транзистора — N-MOSFET с каналом обогащения.
Комплектация
В комплекте поставляется 10 транзисторов IPP50R190CEXKSA1.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 127 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | CoolMOS™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 240 ₴