Транзистор N-MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1, 200 В, 34 А, 136 Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP320N20N3GXKSA1 — это униполярный компонент на технологии OptiMOS™ 3. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе PG-TO220-3, что удобно для серийного монтажа и прототипирования.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащенного типа
• Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
• Максимальный ток стока: 34 А
• Рассеиваемая мощность: 136 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 32 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технология: OptiMOS™ 3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Высокая рассеиваемая мощность

Транзистор способен рассеивать до 136 Вт мощности, что позволяет использовать его в силовых цепях со значительными нагрузками. Эта характеристика важна для устройств, где компонент работает в режиме постоянной нагрузки или при высоких импульсных токах.

Устойчивость к высоким напряжениям

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 200 В. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, что требует соблюдения стандартных правил управления MOSFET.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 32 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы. Низкое сопротивление в состоянии проводимости снижает потери мощности.

Удобный монтаж и комплектация

Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3 для монтажа на плату (THT). В комплекте поставляется 10 транзисторов.

Транзистор Infineon IPP320N20N3GXKSA1 с параметрами 200 В и 34 А. Комплект из 10 штук.