Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N15N3GXKSA1, 150 В, 50 А, корпус PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPP200N15N3GXKSA1. Это униполярные компоненты с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 150 В и ток 50 А. Изготовлены по технологии OptiMOS™ 3 в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Набор из 10 транзисторов N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток 150 В
• Ток стока до 50 А
• Рассеиваемая мощность 150 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 20 мОм
• Корпус PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT)
• Технология OptiMOS™ 3

Высокая мощность и ток

Транзистор способен рассеивать мощность до 150 Вт, что позволяет использовать его в силовых цепях с высокими нагрузками. Максимальный ток стока составляет 50 А, что обеспечивает эффективную коммутацию мощных потребителей. Номинальное напряжение сток-исток 150 В гарантирует стабильную работу в сетях с повышенным напряжением.

Энергоэффективность благодаря низкому сопротивлению

Благодаря технологии OptiMOS™ 3, сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет всего 20 мОм. Такое низкое сопротивление минимизирует тепловые потери и повышает общий КПД устройства. Это особенно важно для энергоэффективных систем, где каждый ватт потерь имеет значение.

Удобный монтаж в корпусе PG-TO220-3

Компоненты поставляются в корпусе PG-TO220-3, предназначенном для монтажа в отверстия (THT), что упрощает пайку и замену. В комплекте сразу 10 транзисторов, что выгодно для серийного производства или ремонтных мастерских.