
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1, 150 В, 79 А, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM035818
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP076N15N5AKSA1 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе PG-TO220-3, рассчитанный на напряжение 150 В и ток 79 А. Товар поставляется набором из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 79 А
- Сопротивление в состоянии проводимости: 7,6 мОм
- Рассеиваемая мощность: 214 Вт
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 150 В и выдерживает постоянный ток стока 79 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 7,6 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 214 Вт, а заряд затвора — 49 нКл.
Технология и монтаж
Прибор изготовлен по технологии OptiMOS™ 5. Монтаж выполняется методом THT (сквозной монтаж). Корпус PG-TO220-3.
Комплектация
В упаковке находится 10 транзисторов IPP076N15N5AKSA1. Маркировка производителя: IPP076N15N5AKSA1. Полярность: униполярный. Тип канала: обогащения. Напряжение затвор-исток: ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 214 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 79 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴
