Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1, 150В, 100А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)
2 220 ₴
- В наличии
- Код: TM074370
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1, 150В, 100А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 220 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP075N15N3GXKSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 100 А при напряжении 150 В. Товар поставляется комплектом из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 100 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 7,5 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Технические характеристики
Устройство работает с напряжением сток-исток 150 В и выдерживает постоянный ток стока 100 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 7,5 мОм.
Технология и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 от Infineon Technologies. Корпус PG-TO220-3 и тип монтажа THT (в отверстия). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 7.5 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴