Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)
2 110 ₴
- В наличии
- Код: TM074369
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (5 шт.)В наличии
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP041N12N3GXKSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 с технологией OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 120 В
- Максимальный ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 4,1 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Технология: OptiMOS™ 3
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 120 В и постоянный ток стока 120 А. Рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,1 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж осуществляется методом THT (навесной монтаж). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 120 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.1 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 110 ₴