
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP040N06N3GXKSA1, 60 В, 90 А, корпус PG-TO220-3 (набор 20 шт.)
3 480 ₴
- В наличии
- Код: TM019057
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET от Infineon Technologies, модель IPP040N06N3GXKSA1. Это униполярные компоненты с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 60 В и ток 90 А. Изготовлены по технологии OptiMOS™ 3 в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Набор из 20 транзисторов N-MOSFET
- Максимальный ток стока 90 А
- Рассеиваемая мощность 188 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 4 мОм
- Корпус PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT)
- Технология OptiMOS™ 3
Высокая мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока до 90 А и рассеивают мощность до 188 Вт. Это позволяет использовать их в силовых цепях с высокими нагрузками, где требуется надежность и стабильность работы под большим током.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 4 мОм. Такое низкое значение минимизирует потери энергии и нагрев компонента во время работы, что повышает общий КПД устройства и упрощает систему охлаждения.
Удобный монтаж и надежность
Компоненты имеют корпус PG-TO220-3 и предназначены для монтажа в отверстия (THT). Это обеспечивает механическую прочность крепления и простоту замены при ремонте или прототипировании. Напряжение затвор-исток ±20 В гарантирует совместимость со многими драйверами затворов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 188 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 90 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
- Цена: 3 480 ₴
