Транзистор N-MOSFET Infineon IPP030N10N3GXKSA1, 100 В, 100 А, корпус PG-TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP030N10N3GXKSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении 100 В и токе 100 А. Товар поставляется набором из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 100 В
• Максимальный ток стока: 100 А
• Мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 3 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технология: OptiMOS™ 3
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и постоянный ток стока 100 А. Мощность рассеивания составляет 300 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 3 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT), что позволяет устанавливать транзистор в печатные платы с отверстиями.