Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1, 60 В, 120 А, 5 шт.
2 470 ₴
- В наличии
- Код: TM074366
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1, 60 В, 120 А, 5 шт.В наличии
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP024N06N3GXKSA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 60 В и ток 120 А. Комплект состоит из 5 штук в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в отверстия (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 120 А
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 2,4 мОм
- Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
- Комплектация: 5 шт.
Электрические характеристики
Прибор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Максимальный ток стока составляет 120 А, а рассеиваемая мощность — 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 2,4 мОм.
Корпус и технология
Транзистор выполнен в корпусе PG-TO220-3. Монтаж выполняется методом установки в отверстия (THT). Используется технология OptiMOS™ 3 от производителя Infineon Technologies.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.4 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 470 ₴