Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023NE7N3GXKSA1, 75В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Набор из 10 мощных N-канальных MOSFET-транзисторов Infineon IPP023NE7N3GXKSA1 в корпусе PG-TO220-3. Подходят для коммутации высоких токов в силовых электронных схемах.

• Ток стока до 120 А
• Рассеиваемая мощность 300 Вт обеспечивает стабильную работу
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 2,3 мОм снижает потери энергии
• Корпус PG-TO220-3 с монтажом THT
• Технология OptiMOS™ 3 от Infineon
• Набор из 10 транзисторов

Высокая токовая нагрузка

Транзисторы IPP023NE7N3GXKSA1 рассчитаны на постоянный ток стока до 120 А. Это позволяет использовать их в мощных силовых цепях.

Эффективное рассеивание тепла

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 300 Вт. Такой показатель обеспечивает стабильную работу транзисторов под высокой нагрузкой, что критически важно для надежности силовых устройств и электродвигателей.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 2,3 мОм. Благодаря технологии OptiMOS™ 3, транзистор демонстрирует минимальные потери мощности при коммутации, что способствует снижению энергопотребления.

Удобный монтаж и корпус

Компоненты выполнены в стандартном корпусе PG-TO220-3 с выводами для монтажа на плату (THT). Это упрощает процесс пайки и интеграции транзисторов в существующие печатные платы.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 транзисторов.