Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1, 80В, 120А, 5 шт.
1 990 ₴
- В наличии
- Код: TM074365
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1, 80В, 120А, 5 шт.В наличии
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP023N08N5AKSA1 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 120 А при напряжении 80 В. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе PG-TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Ток стока 120 А
- Напряжение сток-исток 80 В
- Мощность рассеивания 375 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 2,3 мОм
- Корпус PG-TO220-3 (THT)
- Комплект: 5 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток 80 В и выдерживает постоянный ток стока 120 А. Мощность рассеивания составляет 375 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, а сопротивление в открытом состоянии равно 2,3 мОм.
Технология и монтаж
Устройство изготовлено по технологии OptiMOS™ 5. Корпус PG-TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). Униполярная структура и канал обогащения определяют специфику управления затвором.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 375 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технология | OptiMOS™ 5 |
Информация для заказа
- Цена: 1 990 ₴