Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S, 600 В, 4 А, SOT223, 30 шт (IPN60R600P7SATMA1)
2 430 ₴
- В наличии
- Код: TM074363
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S, 600 В, 4 А, SOT223, 30 шт (IPN60R600P7SATMA1)В наличии
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN60R600P7S — это полупроводниковый компонент для электронных схем.## Монтаж и комплектация
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 4 А
- Рассеиваемая мощность: 7 Вт
- Корпус: PG-SOT223 (SMD)
- Технология: CoolMOS™ P7
- Комплектация: 30 шт.
Мощность и ток
Компонент рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и ток стока 4 А. Рассеиваемая мощность составляет 7 Вт, что определяет тепловой режим работы. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,6 Ом.
Управление и заряд затвора
Напряжение затвор-исток ограничено значением ±20 В. Заряд затвора составляет 9 нКл, что влияет на скорость переключения. Канал транзистора является обогащаемым.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 7 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 600 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 430 ₴