Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R950CEATMA1, 500 В, 4,2 А, SMD (60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R950CEATMA1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 500 В и ток 4,2 А. Товар поставляется комплектом из 60 штук в корпусе PG-SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 4,2 А
• Сопротивление в состоянии проводности: 0,95 Ом
• Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
• Комплектация: 60 шт.

Технология и корпус

Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ CE. Транзистор имеет тип корпуса PG-SOT223 и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Электрические параметры

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 500 В, а допустимый ток стока — 4,2 А. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,95 Ом, что влияет на тепловыделение при работе. Напряжение на затворе ограничено ±20 В, а суммарный заряд затвора — 10,5 нКл.

Мощность и комплектация

Максимальная рассеиваемая мощность составляет 5 Вт. Комплект содержит 60 единиц товара.