Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1, 500В, 4,8А, SOT223 (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPN50R800CEATMA1 — это полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе PG-SOT223 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется комплектом из 40 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Постоянный ток стока: 4,8 А
• Мощность рассеивания: 5 Вт
• Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
• Комплект: 40 шт.

Технические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 4,8 А. Мощность рассеивания составляет 5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,8 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что определяет допустимые режимы управления затвором.

Технология и монтаж

Прибор изготовлен по технологии CoolMOS™ CE, что обеспечивает специфические характеристики переключающих транзисторов. Корпус PG-SOT223 и тип монтажа SMD определяют способ установки компонента.

Комплектация

Товар поставляется как набор из 40 транзисторов.